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(Referência obtida automaticamente do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

One step a-Si: H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator

Texto completo
Autor(es):
K.F Albertin ; I Pereyra
Número total de Autores: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: REVISTA MEXICANA DE FISICA; v. 52, p. 83-85, Fev. 2006.
Resumo

Amorphous silicon thin film transistors (TFT's), utilizing silicon dioxide (SiO2), silicon oxynitride (SiOxNy) and silicon nitride (Si3N4) obtained by PECVD as gate insulating material, are fabricated through just one masking process and characterized by drain current vs drain voltage and by drain current vs gate voltage (Ids vs. Vds and Ids vs. Vgs) measurements. (AU)

Processo FAPESP: 03/02837-3 - Estudo e fabricacao de transistores de filme fino (tft's) com materiais depositados por pecvd visando aplicacoes em optoeletronica integrada.
Beneficiário:Katia Franklin Albertin Torres
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes
Beneficiário:Ines Pereyra
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático