One step a-Si: H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator

Autor(es)

K.F Albertin ^[1] ; I Pereyra ^[2]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] University of São Paulo - Brasil

^[2] University of São Paulo - Brasil

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: REVISTA MEXICANA DE FISICA; v. 52, p. 83-85, 2006-02-00.

Resumo

Amorphous silicon thin film transistors (TFT's), utilizing silicon dioxide (SiO2), silicon oxynitride (SiOxNy) and silicon nitride (Si3N4) obtained by PECVD as gate insulating material, are fabricated through just one masking process and characterized by drain current vs drain voltage and by drain current vs gate voltage (Ids vs. Vds and Ids vs. Vgs) measurements. (AU)

• Processo FAPESP: 03/02837-3 - Estudo e fabricacao de transistores de filme fino (tft's) com materiais depositados por pecvd visando aplicacoes em optoeletronica integrada.
• Beneficiário: Katia Franklin Albertin Torres
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes
• Beneficiário: Ines Pereyra
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático