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Estudo do efeito da radiação de prótons em transistores SOI MOSFETs de múltiplas portas

Processo: 11/03864-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Mestrado
Data de Início da vigência: 01 de março de 2012
Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2014
Área de conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Paula Ghedini Der Agopian
Beneficiário:Caio Cesar Mendes Bordallo
Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM
Assunto(s):Radiação (energia radiante)   Transistores FinFET   Microeletrônica   Transistores
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:FinFET | radiação | transistores de múltiplas portas | Microeletrônica

Resumo

Com o escalamento dos dispositivos, o controle das cargas na região de canal torna-se cada vez mais difícil. Estruturas SOI MOSFETs de múltiplas portas aparecem como uma alternativa aos transistores planares devido ao seu melhor controle das cargas do canal e conseqüentemente maior imunidade aos efeitos de canal curto. Além dos efeitos de canal curto, a melhor resposta dos dispositivos SOI à radiação é bastante conhecida. A radiação de prótons é uma das mais importantes de se estudar quando tratamos de circuitos e/ou dispositivos que serão utilizados em aplicações aeroespaciais. Neste trabalho é proposto o estudo teórico e experimental dos efeitos da radiação de prótons em dispositivos SOI de múltiplas portas de canal vertical. Onde unimos a vantagem da maior imunidade da tecnologia SOI à radiação com o melhor desempenho e a menor susceptibilidade dos transistores de múltiplas portas aos efeitos de canal curto. (AU)

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