Estudo do efeito da radiação de prótons em transistores SOI MOSFETs de múltiplas portas

• Processo: 11/03864-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2012
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2014
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Caio Cesar Mendes Bordallo
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 08/05792-4 - Projeto, Fabricação e Caracterização de Transistores FinFETs, AP.TEM
• Assunto(s): Radiação (energia radiante) Transistores FinFET Microeletrônica Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: FinFET | radiação | transistores de múltiplas portas | Microeletrônica

Resumo

Com o escalamento dos dispositivos, o controle das cargas na região de canal torna-se cada vez mais difícil. Estruturas SOI MOSFETs de múltiplas portas aparecem como uma alternativa aos transistores planares devido ao seu melhor controle das cargas do canal e conseqüentemente maior imunidade aos efeitos de canal curto. Além dos efeitos de canal curto, a melhor resposta dos dispositivos SOI à radiação é bastante conhecida. A radiação de prótons é uma das mais importantes de se estudar quando tratamos de circuitos e/ou dispositivos que serão utilizados em aplicações aeroespaciais. Neste trabalho é proposto o estudo teórico e experimental dos efeitos da radiação de prótons em dispositivos SOI de múltiplas portas de canal vertical. Onde unimos a vantagem da maior imunidade da tecnologia SOI à radiação com o melhor desempenho e a menor susceptibilidade dos transistores de múltiplas portas aos efeitos de canal curto.