EGOFETs e diodo Schottky: influência do arranjo supramolecular sobre as propriedades elétricas

• Processo: 20/12060-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2021
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2025
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: José Diego Fernandes Dias
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 14/50869-6 - INCT 2014: em Eletrônica Orgânica INEO, AP.TEM
• Bolsa(s) vinculada(s): 22/14423-0 - Fabricação e otimização de dispositivos eletrônicos biodegradáveis, BE.EP.PD
• Assunto(s): Eletrônica orgânica Filmes finos Evaporação (método de deposição) Transistores Dispositivos eletrônicos Propriedades elétricas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: arranjo supramolecular | Diodo schottky | Dispositivos eletrônicos | EGOFETs | Eletrônica Orgânica | Filmes PVD e LS | Eletrônica Impressa

Resumo

A maioria dos dispositivos eletrônicos de materiais orgânicos são fabricados tendo como elemento transdutor de sinal um filme fino, cuja estruturação (arranjo supramolecular), além das características físicas e químicas do material em si, é um fator fundamental nas propriedades ópticas e elétricas do filme e, consequentemente, dos dispositivos. Neste projeto serão fabricados filmes finos (nanômetros de espessura) de dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (acrônimo - DNTT). Os filmes serão produzidos pelas técnicas de evaporação térmica a vácuo (PVD) e Langmuir-Schaefer (LS). Os principais objetivos do trabalho são: i) determinar o arranjo supramolecular dos filmes PVD e LS de DNTT, o que implica em monitorar o crescimento, verificar a formação de agregados, ou não, nos filmes, a organização molecular, a morfologia superficial em escalas micro e nanométrica e a cristalinidade; ii) fabricar transistores de efeito de campo orgânico dependente de eletrólitos (EGOFETs) e diodo Schottky a partir de filmes PVD e LS de DNTT e iii) investigar a influência do arranjo supramolecular destes filmes sobre as propriedades elétricas, sobretudo a mobilidade em diferentes direções (horizontal e vertical). Busca-se assim relacionar a tal mobilidade com o arranjo supramolecular e com a interface eletrodo-filme orgânico. Este projeto insere-se no Temático Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia (INCT) em Eletrônica Orgânica (INEO), 2014/50869-6, e será desenvolvido sobre a supervisão do Prof. Dr. Neri Alves. Além disso, prevê um estágio BEPE que será realizado na Universidade de Bangor sob supervisão do Prof. Dr. Jeff Kettley. (AU)

Publicações científicas

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(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

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