Síntese, deposição e caracterização dielétrica e ferroelétrica de filmes finos

• Processo: 99/02485-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1999
• Data de Término da vigência: 20 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Antonio Eiras
• Beneficiário: Eudes Borges de Araújo
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Chaveamento | Constante Dieletrica | Ferroeletricos | Filmes Finos | Piezoeletricidade | Pzt

Resumo

O seguinte projeto propõe a síntese de filmes finos ferroelétricos e a caracterização segundo suas propriedades estruturais, dielétricas e ferroelétricas. Filmes de PZT e SBN serão obtidos a partir de um método de precursores óxidos. Os filmes de PZT serão dopados com Fe e Nb visando estudar a influência desses dopantes nos parâmetros ferroelétricos. A caracterização dos filmes envolverá microscopia eletrônica de varredura, difração de raios-x, constante dielétrica em função da freqüência e de um campo elétrico dc aplicado, ciclos de histereses ferroelétrica e transiente de corrente. (AU)

Publicações científicas

(6)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

R.G. MENDES; E.B. ARAÚJO; J.A. EIRAS. Structural characterization and ferroelectric properties of strontium barium niobate (Sr xBa1-xNb2O6) thin films. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 4, n. 2, p. 113-116, 2001-00-00. (99/02485-2)

E. B. ARAÚJO; J. A. EIRAS. Otimização de parâmetros estruturais, dielétricos e ferroelétricos de filmes finos de PZT. Cerâmica, v. 47, n. 301, p. 9-12, 2001-03-00. (99/02485-2)

ARAÚJO‚ EB; EIRAS‚ JA. Structural‚ dielectric and ferroelectric properties of Nb-doped PZT thin films produced by oxide precursor method. Ferroelectrics, v. 270, n. 1, p. 51-56, 2002. (99/02485-2)

ARAUJO‚ EB; EIRAS‚ JA. Effect of temperature and frequency on dielectric and ferroelectric properties of PZT thin films. Materials Letters, v. 46, n. 5, p. 265-269, 2000. (99/02485-2)

ARAUJO‚ EB; NUNES‚ VB; ZANETTE‚ SI; EIRAS‚ JA. Effect of temperature on structure and morphology of Bi₄ Ti₃ O₁₂ thin films obtained from oxide precursors. Materials Letters, v. 49, n. 2, p. 108-111, 2001. (99/02485-2)

MENDES‚ RG; SANTOS‚ IA; ARAUJO‚ EB; EIRAS‚ JA. Dielectric Properties of Sr 0.75 Ba 0.25 Nb 2 O 6 Thin Films: Bias Field‚ Frequency and Temperature Dependence. Ferroelectrics, v. 271, n. 1, p. 247-252, 2002. (98/16513-5, 99/02485-2)