Estudo das Capacitâncias em Transistores de Múltiplas Portas

• Processo: 10/06884-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2010
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2011
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Victor de Bodt Sivieri
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM
• Assunto(s): Microeletrônica Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capacitância | Mosfet | Multiplas Portas | Microeletrônica

Resumo

Dispositivos de portas múltiplas vêm sendo uma grande promessa como uma alternativa na supressão dos efeitos decorrentes da escalabilidade dos dispositivos. Estes dispositivos fabricados em geometrias não planares, vem apresentando várias vantagens em relação aos dispositivos planares, tais como uma maior densidade de integração, um menor efeito de canal e um melhor controle da correnteNeste projeto de Iniciação Científica será estudado o comportamento das capacitâncias presentes nas estruturas SOI de Múltiplas Portas que serão fabricados durante o Projeto Temático "Projeto, Fabricação e Caracterização de Transistores FinFETs". Este estudo se dará por meio de caracterização elétrica e simulação destes dispositivos, com o intuito de se entender melhor seu comportamento.