Crescimento, caraterizacao e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados.

• Processo: 01/14106-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Sandro Martini
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
• Assunto(s): Pontos quânticos Dispositivos Segregação Fotoluminescência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos | Fotoluminescencia | Pontos Quanticos | Segregacao | Substratos Vicinais

Resumo

Neste projeto, o bolsista crescerá pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) amostras de pontos quânticos de InAs sobre substratos de GaAs(001) nominais e vicinais. Usando as técnicas de fotoluminescência convencional, de micro fotoluminescência, de fotoluminescência resolvida no tempo e de fotoluminescência por excitação, estudará os mecanismos de recombinação radiativa e a dinâmica de portadores neste tipo de estrutura. Investigará também o efeito de segregação dos átomos de In e da tensão elástica sobre as propriedades ópticas das amostras. No final do projeto, graças a toda a experiência adquirida nesta área, pretendemos fabricar o primeiro laser semicondutor baseado em pontos quânticos. Um esforço especial será feito para obter um dispositivo com boas características ópticas e emitindo em torno de 1.3 ou 1.5?m. (AU)

Publicações científicas

(5)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; MARTINI, S.; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Optical response at 1.3 mu m and 1.5 mu m with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 181-185, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.; ABRAMOF, E.. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003. (01/14106-8, 98/12779-0, 00/12529-6, 99/10510-7, 99/08979-7)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; LAMAS, T. E.; SILVA, M. J. DA; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 101-105, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)

LAMAS‚ T. E.; QUIVY‚ A. A.; MARTINI‚ S.; SILVA‚ M. J.; LEITE‚ J. R.. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1/2, p. 25-30, Mar. 2005. (99/08979-7, 98/12779-0, 02/10185-3, 95/05651-0, 99/10510-7, 01/14106-8)

LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003. (98/12779-0, 01/14106-8, 99/10510-7, 99/08979-7, 95/05651-0)