Propriedades estruturais e óticas de pontos quânticos crescidos sobre substratos orientados não convencionalmente

• Processo: 98/01875-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alexandre Levine
• Beneficiário: Alexandre Levine
• Pesquisador Anfitrião: Mohamed Henini
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: University of Nottingham, Sutton Bonington, Inglaterra
• Assunto(s): Pontos quânticos Semicondutores (físico-química) Crescimento epitaxial
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Pontos Quanticos

Resumo

Estaremos estudando pontos quânticos ("Quantum Dots") crescidos sobre substratos orientados não convencionalmente, utilizando técnicas como AFM, STM, PL (magneto ótica) e PL em alta pressão. Entre os materiais semicondutores usados para o crescimento epitaxial de pontos quânticos estão: GaAs, InAs e InGaAs. (AU)