Desempenho de dispositivos soi em alta temperatura.

• Processo: 94/01425-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1994
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1996
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Marcello Bellodi
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Alta temperatura Técnicas de caracterização elétrica Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Alta Temperatura | Caracterizacao Eletrica | Dispositivos Soi | Mosfet

Resumo

Neste trabalho deseja-se estudar teórica e experimentalmente o desempenho de dispositivos MOS implementados em lâminas de Silício sobre Isolante (SOI) em alta temperatura. Desta forma deseja-se estudar as vantagens e desvantagens oferecidas pelos dispositivos SOI - MOS em alta temperatura com relação a tecnologia MOS convencional. Principais aplicações da tecnologia de circuitos integrados em alta temperatura serão discutidas (automóvel, aviões e satélites). (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

BELLODI, Marcello. Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOFETs operando em altas temperaturas.. 1996. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.