Fotoluminescencia em pocos quanticos de gan/ingan/gan.

• Processo: 00/03942-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Leite
• Beneficiário: Angela María Ortiz de Zevallos Márquez
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
• Assunto(s): Nitretos Heteroestruturas Pontos quânticos Fotoluminescência Poços quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotoluminescencia | Heteroestruturas | Nitretos | Pocos Quanticos | Pontos Quanticos | Separacao Da Fase

Resumo

Serão efetuadas experiências de fotoluminescência e fotoluminescência de excitação em poços quânticos de GaN/InGaN/GaN crescidos por MBE na estrutura cúbica em substratos de GaAs(100). O objetivo é estudar os diferentes mecanismos de emissão radiativa nestas estruturas, particularmente aqueles que são responsáveis pela emissão no verde-azul-UV do espectro, observada nos LEDs e Lasers construídos com este material. Serão estudados uma amostra de GaAs/GaN como referência e quatro poços quânticos com larguras da camada InGaN (poço) variadas (3nm-30nm). (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MÁRQUEZ, Angela María Ortiz de Zevallos. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.