Estudo da viabilidade de fabricacao de dispositivos semicondutores baseados em carbeto de silicio crescido por pecvd.

• Processo: 02/04404-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2005
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcelo Nelson Páez Carreño
• Beneficiário: Alessandro Ricardo de Oliveira
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Carbeto de silício Diodos Dopagem eletrônica Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Carbeto De Silicio | Diodos | Dopagem | Pecvd | Tfts

Resumo

O projeto envolverá a fabricação e caracterização de junções P-N e estruturas MOS simples utilizando películas de carbeto de silício crescidas pela técnica PECVD. As películas em questão e os processos de fabricação a serem utilizados são aqueles otimizados em trabalhos prévios, assim nosso objetivo é estudar a viabilidade de desenvolver dispositivos opto-eletrônicos baseados nesse material que, embora o tenhamos estudado exaustivamente, ainda não foi testado em dispositivos operacionais. Dessa maneira a proposta de trabalho não envolve o desenvolvimento e otimização de um tipo especifico de dispositivo, e sim uma série de trabalhos que permitam avaliar as potencialidades do material no desenvolvimento de estruturas básicas, como são as junções semicondutoras e os dispositivos de feito de campo. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD.. 2006. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.