Texto completo
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| Autor(es): |
Marcos Augusto de Goes
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Dissertação de Mestrado |
| Imprenta: | Campinas, SP. |
| Instituição: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação |
| Data de defesa: | 2005-07-29 |
| Membros da banca: |
Jacobus Willibrordus Swart;
Everson Martins;
José Alexandre Diniz
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| Orientador: | Jacobus Willibrordus Swart |
| Resumo | |
Esta dissertação de mestrado descreve o estudo, projeto e implementação de um receptor optoeletrônico integrado (OEIC) utilizando a tecnologia de transistores bipolares de heterojunção (HBT), fabricados a partir do material semicondutor arseneto de gálio. A grande vantagem deste transistor é o seu alto ganho e baixa resistência de base, o qual possibilita operações na faixa de gigahertz. A integração do estágio de fotodetecção, feita por um fotodiodo do tipo PIN, com o circuito de amplificação em um mesmo circuito integrado é possível, pois o fotodetector é construído com as camadas de base, coletor e subcoletor do transistor HBT. Com isso, as resistências, capacitâncias e indutâncias parasitas presentes na conexão entre estes dois estágios são minimizadas. Isto permite aos receptores monolíticos trabalharem em freqüências mais altas em relação aos receptores híbridos. O circuito fabricado opera com fontes de luz no comprimento de onda de 850 nm e pode ser utilizado em redes locais de curta distância (LAN) (AU) | |
| Processo FAPESP: | 99/11350-3 - Receptor optico integrado para sistemas de comunicacao de alta capacidade utilizando transistores bipolares de heterojuncao. |
| Beneficiário: | Marcos Augusto de Goes |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |