Caracterização nanoestrutural de filmes finos do grupo IV-B depositados por sputtering magnetron

Autor(es)

Eliane de Fátima Chinaglia

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 2002-11-11

Membros da banca

Ivette Frida Cymbaum Oppenheim; Carlos Alberto Achete; Israel Jacob Rabin Baumvol; Augusto Camara Neiva; Shigueo Watanabe

• Orientador: Ivette Frida Cymbaum Oppenheim

Resumo

Correlações do tipo processo-estrutura-propriedade de filmes têm sido objeto de extensos estudos já a várias décadas, tanto do ponto de vista científico como tecnológico. Mais recentemente, atenção crescente tem sido dada a filmes cada vez mais finos, principalmente para atender as necessidades de novas tecnologias. Para compreender melhor a correlação processo-estrutura, vários pesquisadores propuseram Modelos de Zonas Estruturais para filmes com espessuras, tipicamente, de algumas unidades a dezenas de micrometros. Neste trabalho, propomos Modelos de Zonas Estruturais para filmes finos de elementos do Grupo IV-B (Ti, Zr e Hf) e estudamos os mecanismos de formação da microestrutura dos filmes. Durante o desenvolvimento de nosso trabalho, curiosos aglomerados de grãos, com tamanhos de vários micrometros e com geometria fractal, foram observados nos filmes de Zr. As características geométricas dos aglomerados e os possíveis mecanismos que os originam e levam à sua evolução também são considerados aqui. (AU)

• Processo FAPESP: 96/11893-9 - Características microestruturais de filmes finos depositados por sputtering
• Beneficiário: Eliane de Fátima Chinaglia
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado