CV Lattes
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Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui Bacharelado em Física (1986), Mestrado em Física do Estado Sólido (1986) e Doutorado em Física (1991) pela Université Libre de Bruxelles (ULB, Bélgica). É Professor do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP) desde 1992, foi pesquisador visitante no Center for Quantum Devices (CQD) da Northwestern University (NU, Estados Unidos) em 2005 e 2006, e é Professor Associado (Livre-Docente) do IFUSP desde 2012. Atua principalmente na área de epitaxia por feixe molecular (MBE), na caracterização morfológica, estrutural, óptica e elétrica de heteroestruturas semicondutoras de compostos III-V (principalmente arsenetos) e, ultimamente, na fabricação e caracterização de células solares e fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs de vários tipos (Stranski-Krastanov, submonocamada e por gota). (Fonte: Currículo Lattes)
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Neste projeto, pretende-se otimizar as condições de crescimento de pontos quânticos de submonocamadas (SMLQDs, submonolayer quantum dots) de InAs/GaAs formados na presença de uma reconstrução de superfície (2´4) em alta temperatura e fluxo de arsênio para obter-se nanoestruturas de melhor qualidade que na literatura. Isso será feito modificando o grande número de parâmetros envolvidos na…
Neste projeto, pretendemos instalar em nosso laboratório os experimentos de responsividade e de ruído para QWIPs (quantum-well infrared photodetector) e QDIPs (quantum-dot infrared photodetectors) de maneira a podermos caracterizar completamente estes dispositivos do ponto de vista elétrico e óptico. Juntando estes dados experimentais com a simulação computacional das propriedades dos Q…
Neste projeto, objetivamos principalmente a compra de novos controladores de temperatura, obturadores (shutters) e cargas de material para continuarmos a produção de amostras semicondutoras destinadas à pesquisa de nosso laboratório assim como de numerosos pesquisadores da comunidade científica brasileira. Com os novos obturadores, poderemos retomar o estudo da dopagem do tipo p de camada…
Neste projeto, o estudante irá continuar e ampliar as pesquisas iniciadas durante o seu mestrado com bolsa da FAPESP. O objetivo principal é demonstrar a possibilidade de superar a eficiência de conversão de uma célula solar convencional de junção única, inserindo no meio da junção p-i-n algum tipo de ponto quântico que será otimizado durante o projeto. Assim, esperamos poder absorver d…
Neste projeto, o Dr. Ahmad Al Zeidan irá otimizar uma nova técnica de crescimento de pontos quânticos de submonocamadas (SMLQDs, submonolayer quantum dots) de InAs. A novidade consiste em depositar os SMLQDs na presença de uma reconstrução de superfície (2x4) de maneira a poder nuclear ilhas bidimensionais (2D) de InAs de boa qualidade que são fundamentais para a formação dos SMLQDs. Poré…
O objetivo deste projeto é continuar a pesquisa iniciada na primeira tese de doutorado donosso grupo (defendida no dia 09/05/2023) relacionada com a fabricação de célulasfotovoltaicas baseadas em pontos quânticos de InAs/GaAs depositados pela técnica de epitaxiapor feixes moleculares (MBE, "molecular beam epitaxy") sobre substratos de GaAs.Tentaremos melhorar as células solares recentemen…
Neste projeto, o bolsista crescerá pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) amostras de pontos quânticos de InAs sobre substratos de GaAs(001) nominais e vicinais. Usando as técnicas de fotoluminescência convencional, de micro fotoluminescência, de fotoluminescência resolvida no tempo e de fotoluminescência por excitação, estudará os mecanismos de recombinação radiativa e a dinâ…
Neste projeto, pretendemos estudar o crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p pertencentes à família III-V. Novas técnicas de dopagem serão abordadas, tais como a utilização de células de carbono sólido, o uso do silício com substratos de GaAs(311)A, e ainda uma técnica de epitaxia alternada possibilitando o emprego do sílicio sobre sibstratos de GaAs(001). A…