CV Lattes
Google Scholar Citations
Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Argentina
Graduada em Física pela Universidad de Buenos Aires em 1973, é PhD - Physics pela Universidade de Delaware (1980). Fez pós-doutorado no Institute of Energy Conversion da Universidade de Delaware entre 1981-1982. Atualmente é professor titular da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, onde fundou e lidera até hoje, o Grupo de Novos Materiais e Dispositivos, onde coordena pesquisas envolvendo a obtenção e propriedades de Novos Materiais dielétricos e semicondutores obtidos por PECVD e "Sputtering" e pelo desenvolvimento de dispositivos semicondutores, como capacitores e transistores MOS e de Filme Fino (TFT's). Foi Coordenadora Geral do Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da USP entre 2008 e até 2021. Entre 2003 e 2011 também foi Chefe e Vice-Chefe do Departamento Engenharia de Sistemas Eletrônicos da EPUSP (Chefia entre 2003 e 2027 e Vice Chefia entre 2007 e 2011). (Fonte: Currículo Lattes)
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o(a) pesquisador(a) |
| Mais itensMenos itens |
| TITULO |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): |
| Mais itensMenos itens |
| VEICULO: TITULO (DATA) |
| VEICULO: TITULO (DATA) |
O objetivo geral do projeto é garantir a continuidade das pesquisas que o grupo vem desenvolvendo com filmes finos de semicondutores e isolantes amorfos e microcristalinos depositados pela técnica de PECVD, aprofundando os estudos já realizados e estendendo as pesquisas em áreas que os resultados indicam como promissoras. Isto envolverá pesquisas sobre a obtenção, caracterização e otimiza…
O projeto objetiva a modernização, melhora na segurança e adequação ás atuais necessidades das salas de PECVD e de caracterização de novos materiais do laboratório de microeletrônica do Departamento de Engenharia Eletrônica da Escola Politécnica da USP. (AU)
O projeto visa à fabricação de detectores de radiação de estrutura pin feitos integralmente em silício amorfo. Nesta primeira etapa serão desenvolvidas películas de silício amorfo espessas (200 m) e transistores de filme fino compatíveis com o processo de fabricação dos sensores. Será também ministrado o curso: "aplicação de curvas cvs.V À caracterização de dielétrico/semicondutor". (AU)
Este projeto tem por objetivo principal a obtenção e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (BST), obtidos pela técnica de pulverização catódica reativa (sputtering reativo), visando explorar suas características ferroelétricas na fabricação de microssistemas eletromecânicos (MEMS), mais precisamente, defasadores sintonizáveis, baseados em linhas de transmissão coplanar…
Este projeto de pesquisa tem por objetivo desenvolver estudos da funcionalidade de materiais à base de silício para aplicações em óptica tendo em vista a destacada emissão luminescente observada por diversos pesquisadores a partir dos estudos com silício poroso relatados por Canham em 1990. A busca de novos materiais com propriedades ópticas a base de silício tem motivado diversos pesquis…
Tendo em vista a grande aplicabilidade de sensores piezoelétricos, e o continuo interesse de pesquisadores no estudo de materiais da família III-V. Esse trabalho tem por objetivo estudar esses materiais depositados por sputtering reativo visando sua aplicação na fabricação de sensores piezoelétricos e estruturas MEMS.Estruturas MEMS ( Microelectromechanical systems) despertam bastante i…
| 3 | Auxílios à pesquisa concluídos |
| 12 | Bolsas no país concluídas |
| 15 | Todos os Auxílios e Bolsas |
| Processos vinculados | |