| Processo: | 03/09398-5 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de junho de 2004 |
| Data de Término da vigência: | 18 de abril de 2006 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Gennady Gusev |
| Beneficiário: | Tomás Erikson Lamas |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM |
| Assunto(s): | Microscopia de força atômica Dispositivos Epitaxia por feixe molecular Pontos quânticos Fotoluminescência |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Dispositivos | Epitaxia Por Feixe Molecular | Fotoluminescencia | Microscopia De Forca Atomica | Nano-Estruturas | Pontos Quanticos |
Resumo Este projeto tem como objetivo o crescimento por epitaxia por feixe molecular (MBE, molecular beam epitaxy) de camadas de pontos quânticos auto-organizados de InAs/GaAs para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. A principal meta é obter estruturas de alta qualidade emitindo nos comprimentos de onda de interesse para a telecomunicação por fibras ópticas (1.3 e 1.55μm). A maior parte deste trabalho será voltada para o estudo dos mecanismos de crescimento dos pontos quânticos, de modo a obtermos tanto a sintonia de sua emissão nos comprimentos de onda desejados quanto uma alta densidade de estruturas. Este plano de pesquisa propõe um estudo sistemático e dirigido para a otimização das condições de crescimento das camadas e sua aplicação na construção de diodos emissores de luz e lasers semicondutores de emissão lateral. (AU) | |
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