Estudo do crescimento e caracterização de materiais semicondutores unidimensionais nanoestruturados puros e dopados

Resumo

Materiais nanoestruturados vêem atraindo a atenção dos pesquisadores devido às novas e/ou superiores propriedades apresentadas pelos materiais sintetizados em pequena escala. Assim sendo, neste projeto serão estudados o mecanismo e a cinética de crescimento de materiais nanoestruturados semicondutores unidimensionais (nanotubos, nanofitas e nanofios) crescidos via fase vapor. Com o entendimento dos mecanismos de crescimento, pretende-se obter um maior controle do tamanho e forma dos materiais sintetizados, o que é de fundamental importância para possíveis aplicações tecnológicas. Os materiais sintetizados terão suas características morfológicas e estruturais detalhadamente estudadas. Os materiais utilizados serão os óxidos de estanho (SnO2) e de zinco (ZnO) devido às propriedades funcionais desses óxidos, e o método de crescimento será o de redução carbotérmica. Estudos do crescimento de materiais semicondutores unidimensionais dopados também serão realizados para o sistema de óxido de estanho dopado com índio ou vice versa (ITO; Indium Tin Oxide) devido à grande aplicabilidade desse sistema. Os sistemas serão caracterizados por difração de raios x, em que os dados serão tratados através de refinamentos utilizando o método de Rietveld, microscopia eletrônica de varredura e microscopia, eletrônica de transmissão. Com esse entendimento do crescimento de materiais, unidimensionais pretende-se, futuramente, aplicar esses materiais em dispositivos tecnológicos de alto desempenho. (AU)