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Desenvolvimento de metodologia de ensaios de radiação em componentes eletrônicos

Processo:12/03383-5
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de maio de 2012
Data de Término da vigência: 30 de abril de 2015
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Nuclear
Pesquisador responsável:Nilberto Heder Medina
Beneficiário:Nilberto Heder Medina
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Município da Instituição Sede:São Paulo
Pesquisadores associados: Djones Vinicius Lettnin ; Eduardo Augusto Bezerra ; Fabian Luis Vargas ; Jader Alves de Lima Filho ; Manfredo Harri Tabacniks ; Marcilei Aparecida Guazzelli ; Nemitala Added ; Roberto Baginski Batista Santos
Assunto(s):Radiação ionizante  Feixes de íons radioativos  Acelerador de partículas  Dispositivos eletrônicos  Tolerância a radiação  Instrumentação nuclear 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Acelerador de partículas | danos por radiação | Dispositivos eletrônicos | feixes de partículas | Instrumentação Nuclear | Radiação ionizante | Instrumentação Nuclear

Resumo

Radiação ionizante que incide em dispositivos semicondutores pode alterar suas propriedades, modificando os parâmetros elétricos que os caracterizam e, no caso de memórias ou processadores, pode modificar a informação contida nesses dispositivos. O desenvolvimento de metodologia para investigação desses efeitos e a instalação de um arranjo experimental dedicado é etapa fundamental para o entendimento desses processos, contribuindo de forma relevante com o desenvolvimento de tecnologia aeroespacial nacional. Através deste projeto de pesquisa, será desenvolvida uma metodologia para teste, caracterização e qualificação de dispositivos e componentes eletrônicos quando submetidos à radiação induzida por feixes de íons pesados. Os ensaios em radiação serão realizados no IFUSP (íons pesados e prótons) e no Centro Universitário da FEI (raios-X) usando dispositivos eletrônicos resistentes à radiação comerciais e alguns desenvolvidos tanto na Universidade Federal de Santa Catarina quanto na Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUC-RS), que também colaborará desenvolvendo e fornecendo plataformas de testes para o arranjo experimental do IFUSP. (AU)

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Publicações científicas (14)
(As publicações científicas contidas nesta página são originárias da Web of Science ou da SciELO, cujos autores mencionaram números dos processos FAPESP concedidos a Pesquisadores Responsáveis e Beneficiários, sejam ou não autores das publicações. Sua coleta é automática e realizada diretamente naquelas bases bibliométricas)
BENFICA, JULIANO; GREEN, BRUNO; PORCHER, BRUNO C.; POEHLS, LETICIA BOLZANI; VARGAS, FABIAN; MEDINA, NILBERTO H.; ADDED, NEMITALA; DE AGUIAR, VITOR A. P.; MACCHIONE, EDUARDO L. A.; AGUIRRE, FERNANDO; et al. Analysis of SRAM-Based FPGA SEU Sensitivity to Combined EMI and TID-Imprinted Effects. IEEE Transactions on Nuclear Science, v. 63, n. 2, 3, p. 1294-1300, . (12/03383-5)
DE OLIVEIRA, ADRIA B.; TAMBARA, LUCAS A.; BENEVENUTI, FABIO; BENITES, LUIS A. C.; ADDED, NEMITALA; AGUIAR, VITOR A. P.; MEDINA, NILBERTO H.; SILVEIRA, MARCILEI A. G.; KASTENSMIDT, FERNANDA L.. Evaluating Soft Core RISC-V Processor in SRAM-Based FPGA Under Radiation Effects. IEEE Transactions on Nuclear Science, v. 67, n. 7, p. 1503-1510, . (12/03383-5)
AGUIAR, V. A. P.; MEDINA, N. H.; ADDED, N.; MACCHIONE, E. L. A.; ALBERTON, S. G.; LEITE, A. R.; AGUIRRE, F. R.; RIBAS, R. V.; PEREGO, C. C.; FAGUNDES, L. M.; et al. SAFIIRA: A heavy-ion multi-purpose irradiation facility in Brazil. Review of Scientific Instruments, v. 91, n. 5, . (12/03383-5)
ALBERTON, S. G.; MEDINA, N. H.; ADDED, N.; AGUIAR, V. A. P.; GUAZZELLI, M. A.; SANTOS, R. B. B.; IEEE. Heavy-Ion-Induced Avalanche Multiplication in Low-Voltage Power VDMOSFET. 2021 21ST EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS (RADECS), v. N/A, p. 5-pg., . (12/03383-5)
VILAS BOAS, ALEXIS C.; DE MELO, M. A. A.; SANTOS, R. B. B.; GIACOMINI, R.; MEDINA, N. H.; SEIXAS, L. E.; FINCO, S.; PALOMO, F. R.; ROMERO-MAESTRE, A.; GUAZZELLI, MARCILEI A.. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 116, . (12/03383-5, 17/18181-2)
AGUIAR, Y. A. P.; MEDINA, N. H.; ADDED, N.; MACCHIONE, E. L. A.; NASCIMENTO, S. G.; LEITE, A. R.; SILVEIRA, M. A. G.; LERAY, JL; MEKKI, J; TSILIGIANNIS, G. New Setup for SEE Measurements in South America. 2017 17TH EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS (RADECS), v. N/A, p. 4-pg., . (12/03383-5)
ALBERTON, SAULO G.; AGUIAR, V. A. P.; MEDINA, N. H.; ADDED, N.; MACCHIONE, E. L. A.; MENEGASSO, R.; CESARIO, G. J.; SANTOS, H. C.; SCARDUELLI, V. B.; ALCANTARA-NUNEZ, J. A.; et al. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 137, p. 7-pg., . (12/03383-5)
BENFICA, JULIANO; GREEN, BRUNO; PORCHER, BRUNO C.; POEHLS, LETICIA BOLZANI; VARGAS, FABIAN; MEDINA, NILBERTO H.; ADDED, NEMITALA; DE AGUIAR, VITOR A. P.; MACCHIONE, EDUARDO L. A.; AGUIRRE, FERNANDO; et al. Analysis of SRAM-Based FPGA SEU Sensitivity to Combined EMI and TID-Imprinted Effects. IEEE Transactions on Nuclear Science, v. 63, n. 2, p. 7-pg., . (12/03383-5)
VILAS BOAS, ALEXIS C.; DE MELO, M. A. A.; SANTOS, R. B. B.; GIACOMINI, R.; MEDINA, N. H.; SEIXAS, L. E.; FINCO, S.; PALOMO, F. R.; ROMERO-MAESTRE, A.; GUAZZELLI, MARCILEI A.; et al. Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments. 2019 19TH EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS (RADECS), v. N/A, p. 4-pg., . (12/03383-5)
VILAS BOAS, ALEXIS C.; DE MELO, M. A. A.; SANTOS, R. B. B.; GIACOMINI, R. C.; MEDINA, N. H.; SEIXAS, L. E.; PALOMO, F. R.; GUAZZELLI, MARCILEI A.; IEEE. Assessment of Ionizing Radiation Hardness of a GaN Field-Effect Transistor. 2019 34TH SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES (SBMICRO 2019), v. N/A, p. 4-pg., . (12/03383-5)
GOERL, ROGER; VILLA, PAULO; VARGAS, FABIAN; MEDINA, NILBERTO H.; ADDED, NEMITALA; DE AGUIAR, VITOR A. P.; DA SILVEIRA, MARCILEI A. G.; BEZERRA, EDUARDO; IEEE. Analysis of Conducted-EMI Noise Influence on the Effectiveness of an EDAC Technique to Mitigate Soft Errors in Ionizing Radiation Environment. 2018 JOINT IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY AND 2018 IEEE ASIA-PACIFIC SYMPOSIUM ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY (EMC/APEMC), v. N/A, p. 6-pg., . (12/03383-5)
OLIVEIRA, A. A.; BENEVENUTI, F.; BENITES, L.; RODRIGUES, G.; KASTENSMIDT, F.; ADDED, N.; AGUIAR, V.; MEDINA, N.; GUAZZELLI, M.; TAMBARA, L.. Dynamic heavy ions SEE testing of NanoXplore radiation hardened SRAM-based FPGA: Reliability-performance analysis. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 100, . (12/03383-5)
VILLA, PAULO R. C.; GOERL, ROGER C.; VARGAS, FABIAN; POEHLS, LETICIA B.; MEDINA, NILBERTO H.; ADDED, NEMITALA; DE AGUIAR, VITOR A. P.; MACCHIONE, EDUARDO L. A.; AGUIRRE, FERNANDO; DA SILVEIRA, MARCILEI A. G.; et al. Analysis of Single-Event Upsets in a Microsemi ProAsic3E FPGA. 2017 18TH IEEE LATIN AMERICAN TEST SYMPOSIUM (LATS 2017), v. N/A, p. 4-pg., . (12/03383-5)
ALLEGRO, PAULA R. P.; TOUFEN, DENNIS L.; AGUIAR, VITOR A. P.; DOS SANTOS, LUCAS S. A.; DE OLIVEIRA, WILLIAM N.; ADDED, NEMITALA; MEDINA, NILBERTO H.; MACCHIONE, EDUARDO L. A.; ALBERTON, SAULO G.; GUAZZELLI, MARCILEI A.; et al. Unsupervised machine learning application to identify single-event transients (SETs) from noise events in MOSFET transistor ionizing radiation effects. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 142, p. 6-pg., . (12/03383-5)