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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBixAs1-x/GaAs multiple quantum wells

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Autor(es):
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Balanta, M. A. G. ; Kopaczek, J. ; Orsi Gordo, V. ; Santos, B. H. B. ; Rodrigues, A. D. ; Galeti, H. V. A. ; Richards, R. D. ; Bastiman, F. ; David, J. P. R. ; Kudrawiec, R. ; Galvao Gobato, Y.
Número total de Autores: 11
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS; v. 49, n. 35 SEP 7 2016.
Citações Web of Science: 7
Resumo

Raman spectroscopy and magneto-photoluminescence measurements under high magnetic fields were used to investigate the optical and spin properties of GaBiAs/GaAs multiple quantum wells (MQWs). An anomalous negative diamagnetic energy shift was observed at higher temperatures and higher laser intensities, which was associated to a sign inversion of hole effective mass in these structures. In addition, an enhancement of the polarization degree with decreasing of laser intensity was observed (experimental condition where the emission is dominated by localized excitons). This effect was explained by changes of spin relaxation and exciton recombination times due to exciton localization by disorder. (AU)

Processo FAPESP: 16/07239-7 - 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Processo FAPESP: 14/50513-7 - Propriedades de transporte de heteroestruturas semicondutoras III-Bi-V para dispositivos fotônicos avançados
Beneficiário:Helder Vinícius Avanço Galeti
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 12/24055-6 - Propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular