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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

A Novel Method of Synthesizing Graphene for Electronic Device Applications

Texto completo
Autor(es):
Galvao, Nierlly [1] ; Vasconcelos, Getulio [2] ; Pessoa, Rodrigo [1, 3] ; Machado, Joao [4] ; Guerino, Marciel [1] ; Fraga, Mariana [3] ; Rodrigues, Bruno [1, 3] ; Camus, Julien [5] ; Djouadi, Abdou [5] ; Maciel, Homero [1, 3]
Número total de Autores: 10
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Inst Tecnol Aeronaut, Ctr Ciencia & Tecnol Plasmas & Mat PlasMat, BR-12228900 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil
[2] Inst Estudos Avancados, Photon Div, Rodovia Tamoios, BR-12228001 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil
[3] Univ Brasil, Rua Carolina Fonseca 235, BR-08230030 Sao Paulo, SP - Brazil
[4] Inst Nacl Pesquisas Espaciais, Associate Lab Sensors & Mat, BR-12227010 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil
[5] Univ Nantes, Inst Mat Jean Rouxel IMN, UMR 6502, 2 Rue Houssiniere, BP 32229, F-44322 Nantes - France
Número total de Afiliações: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: MATERIALS; v. 11, n. 7 JUL 2018.
Citações Web of Science: 1
Resumo

This article reports a novel and efficient method to synthesize graphene using a thermal decomposition process. In this method, silicon carbide (SiC) thin films grown on Si(100) wafers with an AIN buffer layer were used as substrates. CO2 laser beam heating, without vacuum or controlled atmosphere, was applied for SiC thermal decomposition. The physical, chemical, morphological, and electrical properties of the laser-produced graphene were investigated for different laser energy densities. The results demonstrate that graphene was produced in the form of small islands with quality, density, and properties depending on the applied laser energy density. Furthermore, the produced graphene exhibited a sheet resistance characteristic similar to graphene grown on mono-crystalline SiC wafers, which indicates its potential for electronic device applications. (AU)

Processo FAPESP: 18/01265-1 - Síntese e análise microbiológica de substratos poliméricos recobertos com filmes ultra-finos de TiO2 e/ou Al2O3 pela tecnologia de deposição por camada atômica
Beneficiário:Rodrigo Savio Pessoa
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 11/50773-0 - Núcleo de excelência em física e aplicações de plasmas
Beneficiário:Ricardo Magnus Osório Galvão
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 14/18139-8 - Estudos de crescimento e de dopagens de diamante-CVD mono cristalino, colorido via descarga em mW 2,45 GHz de alta potência
Beneficiário:Mariana Amorim Fraga
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 17/18826-3 - Materiais nanoestruturados sustentáveis baseados em polímeros biodegradáveis e nanopartículas de carbono luminescentes
Beneficiário:Bruno Vinícius Manzolli Rodrigues
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular