| Texto completo | |
| Autor(es): |
Trevisoli, Renan
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Pavanello, Marcelo Antonio
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Capovilla, Carlos Eduardo
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Barraud, Sylvain
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Doria, Rodrigo Trevisoli
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Número total de Autores: 5
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Univ Fed ABC, Ctr Engn Modelagem & Ciencias Sociais Aplicadas, BR-09210580 Santo Andre, SP - Brazil
[2] Ctr Univ FEI, Elect Engn Dept, BR-09850901 Sao Bernardo Do Campo - Brazil
[3] Univ Grenoble Alpes, LETI, CEA, F-38054 Grenoble - France
Número total de Afiliações: 3
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES; v. 67, n. 6, p. 2536-2543, JUN 2020. |
| Citações Web of Science: | 0 |
| Resumo | |
This article aims at proposing a compact analytical model for the low-frequency noise (LFN) of junctionless nanowire transistors (JNTs), operating at different bias conditions and temperatures. The model is validated through tridimensional numerical simulations, accounting for different trap configurations, as well as devices with different channel lengths, nanowire widths, and doping concentrations. Experimental results of short-channel junctionless transistors have also been used to demonstrate the model's applicability and accuracy. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 14/18041-8 - Caracterização elétrica e modelagem de dispositivos eletrônicos avançados |
| Beneficiário: | Renan Trevisoli Doria |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |