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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction

Texto completo
Autor(es):
Martini, S. ; Quivy, A. A. ; Silva, M. J. da ; Lamas, T. E. ; Silva, E. C. F. da ; Leite, J. R. ; Abramof, E.
Número total de Autores: 7
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Journal of Applied Physics; v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):Difração por raios X   Átomos
Resumo

Calculations using the dynamical theory of diffraction together with a sample model which considers the segregation of indium atoms were employed to fit the high-resolution x-ray spectra of strained InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy. The segregation coefficients obtained from the best fits to the experimental data of samples grown at different temperatures are in excellent agreement with the expected values and confirm that x-ray diffraction is a valuable tool for the investigation of the segregation phenomenon. (AU)

Processo FAPESP: 01/14106-8 - Crescimento, caraterizacao e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados.
Beneficiário:Sandro Martini
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 00/12529-6 - Medidas de efeito Hall dependente com a temperatura e difratometria de raios-X de alta resolução aplicados a diversos materiais
Beneficiário:Eduardo Abramof
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
Beneficiário:Marcelo Jacob da Silva
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 99/10510-7 - Crescimento por mbe, caracterizacao e otimizacao de camadas dopadas do tipo "p" para a fabricacao de dispositivos optoeletronicos.
Beneficiário:Tomás Erikson Lamas
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático