Modelos Analíticos de Comportamento Elétrico Estático para FinFETs

Resumo

A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-on-Insulator - SOI) tem evoluído e oferecido novas arquiteturas para os dispositivos, como os transistores SOI de múltiplas portas (SOI MuGFETs), que possuem excelentes características elétricas. Entre os novos dispositivos, o FinFET tem se mostrado um excelente candidato às futuras aplicações industriais. Por sua complexidade construtiva e dimensões reduzidas, o FinFET não conta ainda com modelos analíticos consolidados e nem mesmo seu funcionamento é bem estabelecido em todas as condições de operação. O presente projeto de pesquisa tem como principal objetivo propor modelos analíticos de comportamento elétrico estático em dispositivos FinFET, tais como tensão de limiar, corrente de dreno, inclinação de sublimiar e resistência parasitária.Os modelos serão propostos com base no levantamento da evolução histórica dos modelos publicados até o estado atual do assunto. A investigação gerará subsídios para a proposição dos novos modelos analíticos, que deverão apresentar vantagens em relação aos já existentes, especialmente quanto à simplicidade e precisão.Pretende-se avaliar os resultados dos modelos comparando com simulações numéricas tridimensionais, dados experimentais publicados e eventualmente com medidas em dispositivos provenientes de parcerias que possam ser realizadas com outras instituições. Será feita uma análise crítica dos resultados alcançados, situando-os no contexto internacional da área.Como principais resultados esperam-se: a formação do doutor e a geração de conteúdo relevante para a comunidade.