Nanoestruturas de semicondutoras III-V e suas propriedades ópticas

• Processo: 16/16365-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2016
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2018
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Iikawa
• Beneficiário: Fernando Iikawa
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Município da Instituição Sede: Campinas
• Assunto(s): Semicondutores Materiais nanoestruturados Pontos quânticos Propriedades ópticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: nanoestruturas | pontos quânticos | Propriedades Ópticas | semicondutores | Propriedades ópticas

Resumo

O projeto tem como finalidade investigar as propriedades ópticas de nanoestruturas de semicondutores III-V visando, em particular, emissores de luz de fótons individuais. A importância desses emissores de luz se deve a sua aplicação em informação e computação quântica. Neste projeto, pretendemos contribuir nessa área investigando sistemas nanoestruturados de semicondutores, no caso, pontos quânticos, que têm características de emissores de um fóton por vez. Investigaremos dois sistemas: um deles é o ponto quântico de InAsP inserido no nanofio de InP, crescido pelo método vapor-liquid-solid, e o segundo, é o ponto quântico epitaxial, livre de tensão elástica, de GaAs/AlGaAs. Ambos os sistemas serão depois inseridos em microcavidades ópticas para amplificar a emissão. O estudo engloba desde o desenvolvimento dos sistemas emissores de luz e suas propriedades ópticas até o estudo da interação éxciton-fóton, onde envolve o acoplamento da radiação eletromagnética com os excitons. Através deste projeto pretendemos adquirir conhecimentos científicos e tecnológicos sobre o desenvolvimento de fontes de fótons individuais nesses materiais e conhecer suas principais características. (AU)

Publicações científicas

(10)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

MORAES, F. C. D.; ULLAH, S.; BALANTA, M. A. G.; IIKAWA, F.; DANILOV, Y. A.; DOROKHIN, V, M.; VIKHROVA, O. V.; ZVONKOV, B. N.; HERNANDEZ, F. G. G.. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids. SCIENTIFIC REPORTS, v. 9, MAY 13 2019. (16/16365-6, 15/16191-5)

DA SILVA, BRUNO C.; COUTO JR, ODILON D. D.; OBATA, HELIO T.; DE LIMA, MAURICIO M.; BONANI, FABIO D.; DE OLIVEIRA, CAIO E.; SIPAHI, GUILHERME M.; IIKAWA, FERNANDO; COTTA, MONICA A.. Optical Absorption Exhibits Pseudo-Direct Band Gap of Wurtzite Gallium Phosphide. SCIENTIFIC REPORTS, v. 10, n. 1, MAY 13 2020. (16/16365-6, 12/11382-9, 15/16611-4, 15/24271-9)

DA SILVA, BRUNO C.; COUTO, ODILON D. D., JR.; OBATA, HELIO T.; DE LIMA, MAURICIO M.; BONANI, FABIO D.; DE OLIVEIRA, CAIO E.; SIPAHI, GUILHERME M.; IIKAWA, FERNANDO; COTTA, MONICA A.. Optical Absorption Exhibits Pseudo-Direct Band Gap of Wurtzite Gallium Phosphide (vol 10, 7904, 2020). SCIENTIFIC REPORTS, v. 10, n. 1, p. 1-pg., 2020-07-09. (15/24271-9, 12/11382-9, 16/16365-6, 15/16611-4)

ORSI GORDO, V.; BALANTA, M. A. G.; GALVAO GOBATO, Y.; COVRE, F. S.; GALETI, H. V. A.; IIKAWA, F.; COUTO, JR., O. D. D.; QU, F.; HENINI, M.; HEWAK, D. W.; et al. Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. NANOSCALE, v. 10, n. 10, p. 4807-4815, MAR 14 2018. (16/16365-6, 14/50513-7, 12/11382-9, 16/10668-7)

MOLLER, M.; OLIVEIRA, D. S.; SAHOO, P. K.; COTTA, M. A.; IIKAWA, F.; MOTISUKE, P.; MOLINA-SANCHEZ, A.; DE LIMA, JR., M. M.; GARCIA-CRISTOBAL, A.; CANTARERO, A.. Fermi energy dependence of the optical emission in core/shell InAs nanowire homostructures. Nanotechnology, v. 28, n. 29, JUL 21 2017. (15/16611-4, 12/22617-7, 16/16365-6, 13/02300-1, 11/50975-2)

ERRULAT, DYLAN; MARIN, RICCARDO; GALICO, DIOGO A.; HARRIMAN, KATIE L. M.; PIALAT, AMELIE; GABIDULLIN, BULAT; IIKAWA, FERNANDO; COUTO, JR., ODILON D. D.; MOILANEN, JANI O.; HEMMER, EVA; et al. A Luminescent Thermometer Exhibiting Slow Relaxation of the Magnetization: Toward Self-Monitored Building Blocks for Next-Generation Optomagnetic Devices. ACS CENTRAL SCIENCE, v. 5, n. 7, p. 1187-1198, JUL 24 2019. (16/16365-6, 14/50906-9, 12/11382-9, 13/22127-2)

OLIVEIRA, D. S.; ZAVARIZE, M.; TIZEI, L. H. G.; WALLS, M.; OSPINA, C. A.; IIKAWA, F.; UGARTE, D.; COTTA, M. A.. Different growth regimes in InP nanowire growth mediated by Ag nanoparticles. Nanotechnology, v. 28, n. 50, DEC 15 2017. (16/16365-6, 13/02300-1, 15/16611-4)

DA SILVA, BRUNO CESAR; DAMASCENO COUTO, ODILON DIVINO, JR.; OBATA, HELIO; SENNA, CARLOS ALBERTO; ARCHANJO, BRAULIO SOARES; IIKAWA, FERNANDO; COTTA, MONICA ALONSO. Wurtzite Gallium Phosphide via Chemical Beam Epitaxy: Impurity- Related Luminescence vs Growth Conditions. ACS OMEGA, v. N/A, p. 8-pg., 2022-11-23. (15/16611-4, 15/24271-9, 16/16365-6, 19/07616-3, 12/11382-9)

DA SILVA, BRUNO C.; OLIVEIRA, DOUGLAS S.; IIKAWA, FERNANDO; COUTO, JR., ODILON D. D.; BETTINI, JEFFERSON; ZAGONEL, LUIZ F.; COTTA, MONICA A.. Exploring Au Droplet Motion in Nanowire Growth: A Simple Route toward Asymmetric GaP Morphologies. Nano Letters, v. 17, n. 12, p. 7274-7282, DEC 2017. (12/11382-9, 15/16611-4, 16/16365-6, 14/23399-9, 13/02300-1, 12/10127-5)

GORDO, VANESSA ORSI; RODRIGUES, LEONARDE N.; KNOPPER, FLORIS; GARCIA JR, AILTON J.; IIKAWA, FERNANDO; COUTO JR, ODILON D. D.; DENEKE, CHRISTOPH. Band structure engineering in strain-free GaAs mesoscopic systems. Nanotechnology, v. 31, n. 25, APR 3 2020. (16/16365-6, 16/14001-7, 12/11382-9)