Estudo e caracterização elétrica de transistores FinFETs para aplicações espaciais

• Processo: 17/25336-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2018
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2018
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Welder Fernandes Perina
• Instituição Sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Transistores Radiação (energia radiante)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterização Elétrica | FinFETs | radiação | Microeletrônica

Resumo

Com o avanço da tecnologia MOSFET, o controle das cargas na região do canal torna-se cada vez mais difícil e complexo. Os SOI MOSFET de múltiplas portas (Silicon-On-Insulator), também conhecidos como transistores FinFET, aparecem como uma alternativa aos planares devido ao melhor acoplamento eletrostático entre a porta e o canal, o que resulta em maior imunidade aos efeitos de canal curto. Uma das aplicações importantes de circuitos integrados avançados é a sua utilização em equipamentos e circuitos submetidos a um ambiente de radiação para aplicações médicas e aeroespaciais. Neste projeto será realizado o estudo teórico e experimental dos transistores FinFET submetidos à radiação. (AU)