Caracterização elétrica e modelagem de curvas características de corrente por tensão de sensores de OTFTs não-específicos para altas concentrações de MIB e GEO

• Processo: 18/20097-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2018
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Acordo de Cooperação: SABESP
• Pesquisador responsável: Fernando Josepetti Fonseca
• Beneficiário: Luca Pantaleoni Di Natale
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Empresa: Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP)
• Vinculado ao auxílio: 13/50440-7 - Análise da qualidade da água on line (ACQUA-OnLine), AP.PITE
• Assunto(s): Nanotecnologia Nanoeletrônica Sensores Eletrônica orgânica Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Eletrônica Orgânica | geosmina | Nanotecnologia | Otft | Sensores | 2 metil-isoborneol | Nanoeletrônica

Resumo

Transistores de filmes finos orgânicos (OTFTs) são dispositivos compostos por três eletrodos, sendo que a corrente IDS circula somente por dreno (D, do inglês drain) e fonte (S, do inglês source) enquanto que o eletrodo de porta (G, do inglês gate) é responsável por modular esta corrente por tensão. As duas principais tensões de polarização são aplicadas ao dreno e à porta (VDS e VGS, respectivamente) em relação ao eletrodo de referência, a fonte, responsáveis por gerar as curvas características de IDSx VDSpara um conjunto de valores de VGS e transcaracterísticas de IDSx VGS para um conjunto de valores de VDS. Portanto, a caracterização elétrica de OTFTs envolve a limitação dos extremos do intervalo e da máxima corrente de operação (compliance).Além disso, devem ser definidos o passo de variação de cada uma das tensões do transistor, isto é,VGS e VDS. No entanto, o transporte de carga nestes dispositivos deve considerar que os portadores de carga devem realizar saltos em sítios distantes de acordo com uma determinada distribuição estatística e transitar por níveis de energia discretos [3]. Neste contexto, propõe-se a definição de parâmetros de caracterização elétrica visando a modelagem das curvas transcaracteristicas do OTFT para extração de seus parâmetros elétricos. A partir do conhecimento adquirido neste projeto e de medidas obtidas em presença ou na ausência de MIB e GEO, poderá ser compreendido o efeito destes contaminantes no funcionamento do transistor.