Estudo de filmes de a-si:h e a-six-1 cx: h obtidos por pecvd visando sua aplicacao em optica, dispositivos de filme fino sobre substratos polimericos e mems.

• Processo: 06/04859-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2007
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2007
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Ines Pereyra
• Beneficiário: Marcus Vinicius Pelegrini
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Carbeto de silício Semicondutores amorfos Desenvolvimento de novos materiais Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Carbeto De Silicio | Pecvd | Semicondutores Amorfos | Novos materiais

Resumo

O presente projeto trata da produção, pela técnica de PECVD, estudo e caracterização de Filmes Finos de Carbeto de Silício amorfo hidrogenado (a-Six-1Cx:H) de alto gap ótico. Os filmes serão crescidos a baixas temperaturas (<250ºC), visando sua aplicação em dispositivos ópticos, MEMS e dispositivos eletrônicos de filme fino sobre substrato polimérico.