Estudo e optimização das propriedades elétricas de SiO2 depositado por PECVD: aplicação em dispositivos MOSFET

• Processo: 96/05518-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1996
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ines Pereyra
• Beneficiário: Marco Isaías Alayo Chávez
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Dióxido de silício Propriedades elétricas Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dioxido De Silicio | Estruturas Mos | Pecvd | Transistores

Resumo

Este projeto de pesquisa propõe o estudo e optimização das propriedades elétricas de películas de dióxido de silício (SiO2) obtidas pela técnica de PECVD ("Plasma Enhanced CVD") a baixas temperaturas (<450ºC) e da sua interface com o semicondutor em estruturas MOS onde, os substratos serio de silício cristalino e de silício amorfo hidrogenado e algumas de suas ligas. O objetivo é diminuir a carga efetiva no volume do isolante e na interface isolante semicondutor utilizando filmes de SiO2 que já tem sido desenvolvidos anteriormente e que mostraram excelentes propriedades estruturais e composicionais. Para realizar o estudo proposto será necessário conhecer o tipo e a origem da carga presente na interface que será determinada pela análise das curvas de Capacitância (em alta e baixa freqüência) vs. Tensão de porta. A resistividade, tensão de ruptura e as características de injeção das camadas de óxido também serão analisadas. Como etapa final as camadas optimizadas serão utilizadas para fabricar transistores de filme fino (TFT's) e MOSFET's em substratos de silício cristalino. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

CHÁVEZ, Marco Isaías Alayo. Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda.. 2000. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.