Otimizacao dos parametros de crescimento de camadas de inxga1-xas para obtencao de pontos quanticos.

• Processo: 97/05087-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Marcelo Jacob da Silva
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Arsenieto de índio e gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Aptoeletronica | Crescimento Epitaxial (Mbe) | Ingaas | Material Tensionado | Pontos Quanticas

Resumo

Pretendemos otimizar o crescimento epitaxial por feixe molecular (MBE) de pontos quânticos de InGaAs, usando a técnica de auto organização, para a elaboração de dispositivos opto-eletrônicos. Determinaremos os parâmetros cruciais para obter nanoestruturas homogêneas (em tamanho) e com luminescência intensa. As técnicas de microscopia de força atômica e de fotoluminescência serão empregadas para determinarmos as características morfológicas e ópticas das amostras, que serão então processadas pelo Laboratório de Microeletrônica da USP e pelo Laboratório em Pesquisa e Desenvolvimento da UNICAMP para fabricar dispositivos ópticos de alto desempenho. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

SILVA, Marcelo Jacob da. Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados. 1999. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.