| Processo: | 16/03484-7 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de agosto de 2016 |
| Data de Término da vigência: | 31 de julho de 2017 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Neri Alves |
| Beneficiário: | Tiago Carneiro Gomes |
| Supervisor: | Jeff Kettle |
| Instituição Sede: | Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil |
| Instituição Anfitriã: | Bangor University, País de Gales |
| Vinculado à bolsa: | 14/13904-8 - Estudo de transistores à base de ZnO e TIPs-Pentaceno para uso em inversores híbridos impressos, BP.DR |
| Assunto(s): | Filmes finos Estabilidade Transistores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Lifetime | Spray Pyrolysis | stability | thin film | Transistor | zinc oxide | Printed Electronic |
Resumo Os investimentos na área de eletrônica impressa vêm aumentando a cada ano, mas o desenvolvimento de circuitos lógicos totalmente impressos depende da capacidade de se fabricar transistores com êxito. Neste contexto, para se alcançar tecnologias de eletrônica impressa comercializáveis, devem-se encontrar maneiras de aumentar a estabilidade a longo-prazo e tempo-de-vida dos transistores impressos. Atualmente esta é uma questão crítica na literatura. Assim, neste projeto nós propomos buscar caminhos para aumentar a estabilidade a longo-prazo e tempo-de-vida dos transistores à base de óxido de zinco (ZnO), produzidos por spray pirólise ultrassônico. O ZnO obtido solução pode ser facilmente dopado, e atualmente é um dos semicondutores mais promissores para aplicações em eletrônica transparente, devido à sua elevada transparência e alta mobilidade. A estabilidade e tempo de vida em transistores de ZnO serão avaliadas a partir de: adição de dopante; condições de deposição; tratamentos térmicos; características de superfície de substrato e assim por diante, as quais serão estudadas sob exposição ao ambiente e luz. Por fim, ressalta-se que estes estudos não somente serão importantes para melhorar a estabilidade a longo-prazo e tempo-de-vida dos transistores de ZnO, mas também para proporcionar conhecimento & tecnologia a fim de contribuir ao desenvolvimento da área eletrônica impressa. | |
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