| Processo: | 14/13904-8 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de janeiro de 2015 |
| Data de Término da vigência: | 04 de março de 2018 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Acordo de Cooperação: | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) |
| Pesquisador responsável: | Neri Alves |
| Beneficiário: | Tiago Carneiro Gomes |
| Instituição Sede: | Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil |
| Bolsa(s) vinculada(s): | 16/03484-7 - Estudos de estabilidade em transistores obtidos por spray ultrassônico e pirólise de precursores orgânicos de ZnO., BE.EP.DR |
| Assunto(s): | Circuitos eletrônicos Transistores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Hybrid Inverter | Printed Electronic | TIPs-Pentacene | Transistor | ZnO | Eletrônica Orgânica |
Resumo Este trabalho envolve a fabricação de transistores orgânicos e inorgânicos, para o desenvolvimento de circuitos flexíveis processados por solução. A produção de circuitos flexíveis, leves e eventualmente transparentes, tem sido um dos principais focos da eletrônica orgânica atual. Em particular, destaca-se a fabricação de circuitos inversores híbridos, visto que são dispositivos essenciais para eletrônica digital. Sendo assim, o objetivo deste projeto é a preparação e caracterização de transistores do tipo-n à base de óxidos semicondutores metálicos (em particular, óxido de zinco) e de transistores orgânicos do tipo-p de 6,13-Bis(triisopropil sililetinil) pentaceno (TIPs-pentaceno), para a produção de circuitos inversores complementares híbridos (CIC-Hi). O principal interesse em fabricar CIC-Hi deve-se a sua boa estabilidade e reprodutibilidade, arquitetura e funcionamento simples e, ainda, por ser um dos dispositivos mais promissores atualmente, segundo a literatura da área. Além disso, dispositivos deste tipo são compatíveis com processos de fabricação por solução, como impressão jato de tinta e técnicas por spray, os quais são métodos importantes para a produção de dispositivos flexíveis em larga escala. Neste trabalho, a camada ativa dos transistores do tipo n e p serão depositadas por técnicas desta natureza, utilizando ainda o óxido de alumínio anódico como camada dielétrica. Serão priorizados os estudos da estabilidade em função da exposição ao ambiente, do estresse de voltagem e do tratamento da superfície do dielétrico, visando aperfeiçoar a fabricação e operação destes dispositivos. Assim, com a realização deste projeto pretende-se contribuir para o desenvolvimento de circuitos orgânicos impressos, flexíveis e possivelmente transparentes. (AU) | |
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