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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Analytical Model for the Dynamic Behavior of Triple-Gate Junctionless Nanowire Transistors

Texto completo
Autor(es):
Trevisoli, Renan [1] ; Doria, Rodrigo Trevisoli [1] ; de Souza, Michelly [1] ; Barraud, Sylvain [2] ; Vinet, Maud [2] ; Pavanello, Marcelo Antonio [1]
Número total de Autores: 6
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Ctr Univ FEI, BR-09850901 Sao Bernardo Do Campo - Brazil
[2] Commissariat Energie Atom & Energies Alternat, Lab Elect Technol Informat, F-38054 Grenoble - France
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES; v. 63, n. 2, p. 856-863, FEB 2016.
Citações Web of Science: 9
Resumo

This paper presents an analytical model for the intrinsic capacitances and transconductances of triple-gate junctionless nanowire transistors. The model is based on a surface-potential drain current model, which includes shortchannel effects, and accounts for the dependences on the device dimensions, doping concentration, and quantum effects. It is validated with 3-D Technology Computer-Aided Design (TCAD) simulations for several device characteristics and biases as well as with the experimental results. (AU)

Processo FAPESP: 14/18041-8 - Caracterização elétrica e modelagem de dispositivos eletrônicos avançados
Beneficiário:Renan Trevisoli Doria
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado