| Texto completo | |
| Autor(es): |
Balanta, M. A. G.
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Orsi Gordo, V.
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Carvalho, A. R. H.
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Puustinen, J.
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Alghamdi, H. M.
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Henini, M.
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Galeti, H. V. A.
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Guina, M.
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Galvao Gobato, Y.
Número total de Autores: 9
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Journal of Luminescence; v. 182, p. 49-52, FEB 2017. |
| Citações Web of Science: | 4 |
| Resumo | |
We have investigated polarization resolved photoluminescence (PL) of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells (QWs) with different Bi concentrations in the dilute range (x < 2%) using linearly polarized laser excitation under high magnetic fields up to 15 Tat low temperatures (T < 14 K). It was found that the spin polarization and excitonic g-factor of GaAs1-xBix/GaAs QWs increase with the increase of Bi concentration. Excitonic g(ex)-factors of 4 and 10 were obtained at 15 T for as-grown GaAs1-xBix/GaAs QWs with 1.2% and 1.9% Bi concentration, respectively. These values evidence an important increase of electron and hole g-factors with the introduction of Bi in GaAs. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 14/50513-7 - Propriedades de transporte de heteroestruturas semicondutoras III-Bi-V para dispositivos fotônicos avançados |
| Beneficiário: | Helder Vinícius Avanço Galeti |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 12/24055-6 - Propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores |
| Beneficiário: | Yara Galvão Gobato |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |