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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content

Texto completo
Autor(es):
Souto, S. [1] ; Hilska, J. [2] ; Gobato, Y. Galvao [3] ; Souza, D. [3] ; Andrade, M. B. [4] ; Koivusalo, E. [2] ; Puustinen, J. [2] ; Guina, M. [2]
Número total de Autores: 8
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Sao Paulo, Fac Zootecnia & Engn Alimentos, Dept Ciencias Basicas, BR-13635900 Pirassununga, SP - Brazil
[2] Tampere Univ, Phys Unit, Optoelect Res Ctr, Korkeakoulunkatu 3, Tampere 33720 - Finland
[3] Univ Fed Sao Carlos UFSCAR, Dept Fis, BR-13560905 Carlos, SP - Brazil
[4] Univ Sao Paulo, Sao Carlos Inst Phys, POB 369, BR-13560970 Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Applied Physics Letters; v. 116, n. 20 MAY 18 2020.
Citações Web of Science: 0
Resumo

We report on the crystal morphology and Raman scattering features of high structural quality GaSb1-xBix alloys grown by molecular beam epitaxy with a high Bi content (x up to similar to 0.10). The Raman spectra were measured at room temperature with different laser excitation wavelengths of 532nm, 633nm, and 785nm. We observed well-defined Bi-induced Raman peaks associated with atomic Bi-n clusters and GaBi vibrational modes. Remarkably, some Bi-induced Raman modes were strongly enhanced when the laser energy was selected near an optical transition for the 5.8%Bi sample. This effect was attributed to a Raman resonant effect near an excited optical transition of the GaSbBi layer and has been used to identify the nature of the observed Raman peaks. (AU)

Processo FAPESP: 14/50513-7 - Propriedades de transporte de heteroestruturas semicondutoras III-Bi-V para dispositivos fotônicos avançados
Beneficiário:Helder Vinícius Avanço Galeti
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 16/10668-7 - Propriedades óticas, magneto-óticas, de transporte e magneto-transporte de materiais semicondutores bidimensionais baseados em materiais de transição dicalcogenados
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular