Interface matters: Design of an efficient alpha-Ag2WO4/Ag3PO4 photocatalyst

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Trench, Aline B. ; Alvarez, Roman ; Teodoro, Vinicius ; da Trindade, Leticia G. ; Machado, Thales R. ; Teixeira, Mayara M. ; de Souza, Daniele ; Pinatti, Ivo M. ; Simoes, Alexandre Z. ; Gobato, Yara Galvao ; Andres, Juan ; Longo, Elson

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Materials Chemistry and Physics; v. 280, p. 12-pg., 2022-02-12.

Resumo

Heterojunction engineering of complex metal oxides is an active area of research that addresses fundamental questions in solid-state systems with broad technological applications. In this work, alpha-Ag2WO4/Ag3PO4 heterojunctions with different amounts of alpha-Ag2WO4 (12, 24, and 36 wt%) were synthesized by the coprecipitation method and characterized by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, field emission scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, UV-vis diffuse reflectance spectroscopy, and photoluminescence. The alpha-Ag2WO4/Ag3PO4 heterojunction containing 24% wt of alpha-Ag(2)WO(4 )showed the most enhanced photocatalytic activity for the degradation of Rhodamine B, being much higher than Ag3PO4 and alpha-Ag2WO4. Trapping experiments revealed that the holes and superoxide radical, in minor extent, were the main active species in the photocatalytic degradation. Such enhanced photocatalytic performance was explained by the surface plasmon resonance effect associated with the presence of metallic Ag at the interface and the formation of a type I heterojunction between alpha-Ag2WO4 and Ag3PO4 semiconductors. (AU)

• Processo FAPESP: 19/25944-8 - Irradiação em laser femtosegundo e nanosegundo dos compostos Ag2SeO4 e Ag2SeO3 e seu estudo teórico
• Beneficiário: Ivo Mateus Pinatti
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 19/23488-5 - Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais
• Beneficiário: Yara Galvão Gobato
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 19/23488-5 - Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais
• Beneficiário: Yara Galvão Gobato
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 19/03722-3 - Avaliação das Propriedades Teóricas, Estruturais e Morfológicas de Nanomateriais de Selênio e Prata para Aplicação Fotoluminescente e Biológica
• Beneficiário: Ivo Mateus Pinatti
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
• Beneficiário: Elson Longo da Silva
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs