| Texto completo | |
| Autor(es): |
Silva, M. J. da
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Quivy, A. A.
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Martini, S.
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Lamas, T. E.
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Silva, E. C. F. da
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Leite, J. R.
Número total de Autores: 6
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Journal of Crystal Growth; v. 251, n. 1/4, p. 181-185, Apr. 2003. |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física |
| Assunto(s): | Semicondutores Fotoluminescência |
| Resumo | |
We demonstrated that the growth of InAs on GaAs at rates as low as 0.003 ML/s can be used to form quantum dots (QDs) that are optically active at 1.3 and 1.5 mum. The emission at 1.5 mum (at 300 K) originating from individual InAs QDs embedded in a pure GaAs matrix is close to the important telecom window at 1.55 mum. Such emission is related to a narrow distribution of islands with a height peaked around 15 nm as shown by atomic-force microscopy. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser |
| Beneficiário: | Marcelo Jacob da Silva |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 99/10510-7 - Crescimento por mbe, caracterizacao e otimizacao de camadas dopadas do tipo "p" para a fabricacao de dispositivos optoeletronicos. |
| Beneficiário: | Tomás Erikson Lamas |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 01/14106-8 - Crescimento, caraterizacao e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados. |
| Beneficiário: | Sandro Martini |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |