| Texto completo | |
| Autor(es): |
Pela, R. R.
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Marques, M.
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Ferreira, L. G.
[2, 1]
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Furthmueller, J.
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Teles, L. K.
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Número total de Autores: 5
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Inst Tecnol Aeronaut, BR-12228900 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil
[2] Univ Sao Paulo, Inst Fis, BR-05315970 Sao Paulo - Brazil
[3] Univ Jena, Inst Festkorpertheorie & Opt, D-07743 Jena - Germany
Número total de Afiliações: 3
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Applied Physics Letters; v. 100, n. 20, p. 202408-202408, 2012. |
| Citações Web of Science: | 21 |
| Resumo | |
Among all magnetic semiconductors, GaMnAs seems to be the most important one. In this work, we present accurate first-principles calculations of GaMnAs within the GGA-1/2 approach: We concentrate our efforts in obtaining the position of the peak of Mn-d levels in the valence band and also the majority spin band gap. For the position of the Mn-d peak, we find a value of 3.3 eV below the Fermi level, in good agreement with the most recent experimental results of 3.5 and 3.7 eV. An analytical expression that fits the calculated E-g(x) for majority spin is derived in order to provide ready access to the band gap for the composition range from 0 to 0.25. We found a value of 3.9 eV for the gap bowing parameter. The results agree well with the most recent experimental data. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4718602] (AU) | |
| Processo FAPESP: | 08/11423-1 - Simulação de dispositivos quânticos baseados no spin |
| Beneficiário: | Ronaldo Rodrigues Pelá |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado Direto |
| Processo FAPESP: | 06/05858-0 - Estudo teórico de ligas semicondutoras com aplicações em spintrônica e optoeletrônica |
| Beneficiário: | Lara Kühl Teles |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores |