Theoretical study of the indium incorporation into III-V compounds revisited: The role of indium segregation and desorption

Autor(es)

Pela, R. R. ^[1] ; Teles, L. K. ^[1] ; Marques, M. ^[1] ; Martini, S. ^[2]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] Inst Tecnol Aeronaut, Grp Mat Semicond & Nanotecnol, BR-12228900 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil

^[2] Univ Sao Judas Tadeu, Fac Tecnol & Ciencias Exatas, Grp Pesquisa Microelet & Dispositivos Optoelect, BR-03166000 Sao Paulo - Brazil

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Journal of Applied Physics; v. 113, n. 3 JAN 21 2013.
• Citações Web of Science: 4

Resumo

Indium based III-V compounds are very important technological materials. However, the indium incorporation depends on several phenomena, among them, the influence of indium segregation has been the most studied. In this paper, we show that to predict accurately the energy levels of In based III-V quantum structures, besides the indium segregation, the indium desorption must also be considered. In order to verify this assumption, we consider InGaAs/GaAs quantum wells as a benchmark case, and simulate 48 different quantum wells comparing with photoluminescence results. (C) 2013 American Institute of Physics. {[}http://dx.doi.org/10.1063/1.4776741] (AU)

• Processo FAPESP: 08/11423-1 - Simulação de dispositivos quânticos baseados no spin
• Beneficiário: Ronaldo Rodrigues Pelá
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto
• Processo FAPESP: 07/06117-6 - Simulação de dispositivos quânticos baseados no spin
• Beneficiário: Ronaldo Rodrigues Pelá
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Processo FAPESP: 06/05858-0 - Estudo teórico de ligas semicondutoras com aplicações em spintrônica e optoeletrônica
• Beneficiário: Lara Kühl Teles
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores