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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects

Texto completo
Autor(es):
Padilha, A. C. M. [1, 2] ; Raebiger, H. [1, 2] ; Rocha, A. R. [3] ; Dalpian, G. M. [1]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed ABC, Ctr Ciencias Nat & Humanas, Santo Andre, SP - Brazil
[2] Yokohama Natl Univ, Dept Phys, Yokohama, Kanagawa - Japan
[3] Univ Estadual Paulista, Inst Fis Teor, Sao Paulo, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: SCIENTIFIC REPORTS; v. 6, JUL 1 2016.
Citações Web of Science: 19
Resumo

Defects in semiconductors can exhibit multiple charge states, which can be used for charge storage applications. Here we consider such charge storage in a series of oxygen deficient phases of TiO2, known as Magneli phases. These Magneli phases (TinO2n-1) present well-defined crystalline structures, i.e., their deviation from stoichiometry is accommodated by changes in space group as opposed to point defects. We show that these phases exhibit intermediate bands with an electronic quadruple donor transitions akin to interstitial Ti defect levels in rutile TiO2. Thus, the Magneli phases behave as if they contained a very large pseudo-defect density: 1/2 per formula unit TinO2n-1. Depending on the Fermi Energy the whole material will become charged. These crystals are natural charge storage materials with a storage capacity that rivals the best known supercapacitors. (AU)

Processo FAPESP: 16/11429-6 - Armazenamento de cargas em fases deficientes em oxigênio do TiO2: física de defeitos sem defeitos
Beneficiário:Gustavo Martini Dalpian
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Publicações científicas - Artigo
Processo FAPESP: 13/22577-8 - Colaboração da UFABC om a universidade nacional de Yokohama para o estudo teórido de nanoestruturas em interfaces e inseridas em materiais bulk
Beneficiário:Gustavo Martini Dalpian
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Processo FAPESP: 11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar
Beneficiário:Carlos Rettori
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 15/05830-7 - Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo
Beneficiário:Antonio Cláudio Michejevs Padilha
Linha de fomento: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Processo FAPESP: 11/21719-8 - Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo
Beneficiário:Antonio Cláudio Michejevs Padilha
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 10/16202-3 - Propriedades eletrônicas, magnéticas e de transporte em nanoestruturas
Beneficiário:Adalberto Fazzio
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático