| Texto completo | |
| Autor(es): |
Lamas‚ T. E.
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Quivy‚ A. A.
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Martini‚ S.
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Silva‚ M. J.
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Leite‚ J. R.
Número total de Autores: 5
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Thin Solid Films; v. 474, n. 1/2, p. 25-30, Mar. 2005. |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física |
| Assunto(s): | Fotoluminescência Processos ópticos |
| Resumo | |
Atomic force microscopy, Hall effect and photoluminescence measurements were used to investigate the morphological, electrical and optical properties of GaAs(001):Si films obtained by droplet-assisted molecular-beam epitaxy using a peculiar shutter sequence for the delivery of the silicon, gallium and arsenic species. Although silicon is almost exclusively used as a n-type dopant on GaAs(001) substrates, with such growth conditions a p-type character of the GaAs:Si layers was generally detected. The best morphological results were obtained when a single monolayer of gallium and arsenic were alternately deposited and the dopant was evaporated during the gallium cycle, since in that special case no gallium droplets were formed on the substrate, minimizing thus the total roughness of the final surface. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser |
| Beneficiário: | Marcelo Jacob da Silva |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V |
| Beneficiário: | Gennady Gusev |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |
| Processo FAPESP: | 02/10185-3 - Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras obtidas por tecnicas especiais. |
| Beneficiário: | Alain André Quivy |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 95/05651-0 - Scanning probe microscope para multi-usuários |
| Beneficiário: | Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura - Equipamentos |
| Processo FAPESP: | 99/10510-7 - Crescimento por mbe, caracterizacao e otimizacao de camadas dopadas do tipo "p" para a fabricacao de dispositivos optoeletronicos. |
| Beneficiário: | Tomás Erikson Lamas |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 01/14106-8 - Crescimento, caraterizacao e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados. |
| Beneficiário: | Sandro Martini |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |