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Propriedades de transporte de heteroestruturas semicondutoras III-Bi-V para dispositivos fotônicos avançados

Processo: 14/50513-7
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de março de 2015
Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2018
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Acordo de Cooperação: AKA
Pesquisador responsável:Helder Vinícius Avanço Galeti
Beneficiário:Helder Vinícius Avanço Galeti
Pesquisador Responsável no exterior: Mircea Guina
Instituição Parceira no exterior: Tampere University of Technology (TUT), Finlândia
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Células solares  Propriedades ópticas  Propriedades de transporte  Cooperação internacional 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Dilute Bismides And Nitrides | Lasers | Optical Properties | Solar Cell | Transport Properties

Resumo

Esse projeto de pesquisa tem como objetivo desenvolver novas tecnologias e aplicações de nanoestruturas e nanodispositivos baseados em novos materiais III-Bi-V semicondutores. O projeto tem também como objetivo iniciar nova colaboração científica internacional com um grupo de pesquisa da Finlândia. O projeto envolve o crescimento, caracterização, processamento e estudo sistemático de propriedades de transporte e óticas de novos materiais semicondutores avançados em colaboração com o grupo do "Optoelectronic Research Centre" e dois Departamentos da UFSCAR, o recém criado Departamento de Engenharia Elétrica e Departamento de Física. (AU)

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Publicações científicas (17)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PITON, MARCELO RIZZO; HAKKARAINEN, TEEMU; HILSKA, JOONAS; KOIVUSALO, EERO; LUPO, DONALD; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, v. 14, n. 1, . (14/50513-7, 16/10668-7)
KOIVUSALO, EERO; HILSKA, JOONAS; GALETI, HELDER V. A.; GALVAO GOBATO, YARA; GUINA, MIRCEA; HAKKARAINEN, TEEMU. The role of As species in self-catalyzed growth of GaAs and GaAsSb nanowires. Nanotechnology, v. 31, n. 46, . (19/07442-5, 14/50513-7)
AL MASHARY, FAISAL S.; DE CASTRO, SUELEN; DA SILVA, ARLON FERNANDO; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; PITON, MARCELO RIZZO; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; GOBATO, YARA GALVAO; AL SAQRI, NOOR; HENINI, MOHAMED; et al. Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO2 thin films. Journal of Alloys and Compounds, v. 766, p. 194-203, . (14/50513-7, 16/10668-7)
BALANTA, M. A. G.; KOPACZEK, J.; ORSI GORDO, V.; SANTOS, B. H. B.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; RICHARDS, R. D.; BASTIMAN, F.; DAVID, J. P. R.; KUDRAWIEC, R.; et al. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBixAs1-x/GaAs multiple quantum wells. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 35, . (12/24055-6, 16/07239-7, 14/50513-7)
BALANTA, M. A. G.; ORSI GORDO, V.; CARVALHO, A. R. H.; PUUSTINEN, J.; ALGHAMDI, H. M.; HENINI, M.; GALETI, H. V. A.; GUINA, M.; GALVAO GOBATO, Y.. Polarization resolved photoluminescence in GaAs1-xBix/GaAs quantum wells. Journal of Luminescence, v. 182, p. 49-52, . (14/50513-7, 12/24055-6)
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TONG, CAPUCINE; BIDAUD, THOMAS; KOIVUSALO, EERO; PITON, MARCELO RIZZO; GUINA, MIRCEA; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; CATTONI, ANDREA; HAKKARAINEN, TEEMU; COLLIN, STEPHANE. athodoluminescence mapping of electron concentration in MBE-grown GaAs:Te nanowire. Nanotechnology, v. 33, n. 18, . (14/50513-7, 19/23488-5, 19/07442-5)
BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GALVAO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; et al. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys. Journal of Alloys and Compounds, v. 814, . (14/50513-7, 16/10668-7)
PITON, MARCELO R.; KOIVUSALO, EERO; SUOMALAINEN, SOILE; HAKKARAINEN, TEEMU; SOUTO, S.; GALETI, HELDER V. A.; SCHRAMM, ANDREAS; GOBATO, Y. GALVAO; GUINA, MIRCEA; IEEE. Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy. 2017 32ND SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES (SBMICRO): CHIP ON THE SANDS, v. N/A, p. 4-pg., . (14/50513-7, 16/10668-7)
PITON, MARCELO RIZZO; KOIVUSALO, EERO; HAKKARAINEN, TEEMU; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; TALMILA, SOILE; SOUTO, SERGIO; LUPO, DONALD; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, . (14/50513-7, 18/01808-5, 16/10668-7)
HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; et al. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8, . (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)
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BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GOBATO, Y. GALVAO; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; et al. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys (vol 814, 15223, 2020). Journal of Alloys and Compounds, v. 817, p. 1-pg., . (14/50513-7, 18/01808-5, 16/10668-7)