Estudo e producao de filmes de oxinitreto de silicio (sioxny) pela tecnica de pecvd.

• Processo: 01/07289-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ines Pereyra
• Beneficiário: Denise Criado Pereira de Souza
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes, AP.TEM
• Assunto(s): Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Índice de refração
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Indice De Refracao | Oxinitreto De Silicio | Pecvd

Resumo

O objetivo deste projeto é estudar a obtenção e propriedades físicas de ligas amorfas de SiOxNy crescidas por PECVD e ricas em nitrogênio. A proposta é dar continuidade a trabalhos prévios que demonstraram a viabilidade de controlar a composição e as propriedades estruturais e ópticas de filmes finos deste material. Nesses trabalhos foi estudado o extremo de pequenas concentrações de nitrogênio (y<0,5), onde o material tem propriedades próximas às do Si02. Neste projeto nosso objetivo é estudar o extremo de altas concentrações de nitrogênio e baixa incorporação de oxigênio, onde os materiais terão propriedades próximas às do nitreto de silício. Para isso, estudaremos o efeito de incluir a amônia entre os gases precursores e estudaremos a correlação entre os diversos parâmetros de deposição (particularmente a relação entre os fluxos dos gases) e as propriedades físicas do material, o que envolverá principalmente análises da estrutura (por espectroscopia de infravermelho), composição química e medidas de elipsometria para determinação do índice de refração das amostras. (AU)