| Texto completo | |
| Autor(es): |
Tong, Capucine
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Bidaud, Thomas
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Koivusalo, Eero
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Piton, Marcelo Rizzo
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Guina, Mircea
[3]
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Avanco Galeti, Helder Vinicius
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Gobato, Yara Galvao
[5]
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Cattoni, Andrea
[1, 2]
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Hakkarainen, Teemu
[3]
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Collin, Stephane
[1, 2]
Número total de Autores: 10
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Inst Photovolta Ile France IPVF, F-91120 Palaiseau - France
[2] Univ Paris Saclay, Ctr Nanosci & Nanotechnol C2N, CNRS, F-91120 Palaiseau - France
[3] Tampere Univ, Optoelect Res Ctr, Phys Unit, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere - Finland
[4] Univ Fed Sao Carlos, Elect Engn Dept, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[5] Univ Fed Sao Carlos, Phys Dept, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 5
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Nanotechnology; v. 33, n. 18 APR 30 2022. |
| Citações Web of Science: | 0 |
| Resumo | |
Cathodoluminescence mapping is used as a contactless method to probe the electron concentration gradient of Te-doped GaAs nanowires. The room temperature and low temperature (10 K) cathodoluminescence analysis method previously developed for GaAs:Si is first validated on five GaAs:Te thin film samples, before extending it to the two GaAs:Te NW samples. We evidence an electron concentration gradient ranging from below 1 x 10(18) cm(-3) to 3.3 x10(18) cm(-3) along the axis of a GaAs:Te nanowire grown at 640 degrees C, and a homogeneous electron concentration of around 6-8 x 10(17) cm(-3) along the axis of a GaAs:Te nanowire grown at 620 degrees C. The differences in the electron concentration levels and gradients between the two nanowires is attributed to different Te incorporation efficiencies by vapor-solid and vapor-liquid-solid processes. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 14/50513-7 - Propriedades de transporte de heteroestruturas semicondutoras III-Bi-V para dispositivos fotônicos avançados |
| Beneficiário: | Helder Vinícius Avanço Galeti |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 19/23488-5 - Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais |
| Beneficiário: | Yara Galvão Gobato |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 19/07442-5 - Nanostruturas semicondutoras bismuto diluídas e novos materiais para aplicações no infravermelho médio |
| Beneficiário: | Helder Vinícius Avanço Galeti |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |