Spin-polarized transport in magnetic III-V semiconductor devices

• Grant number: 99/09310-3
• Support Opportunities: Scholarships abroad - Research
• Start date: February 07, 2000
• End date: February 06, 2001
• Field of knowledge: Physical Sciences and Mathematics - Physics - Condensed Matter Physics
• Principal Investigator: Giovani Zanelatto
• Grantee: Giovani Zanelatto
• Host Investigator: Elizabeth Gwinn
• Host Institution: Pessoa Física
• Institution abroad: University of California, Santa Barbara (UC Santa Barbara), United States

Abstract

O recente desenvolvimento de semicondutores magnéticos do grupo III-V abriu a oportunidade de integrar nestes o transporte de spin em não equilíbrio controlado eletronicamente. Podemos antever estruturas de tunelamento ressonante spin-polarizadas e dispositivos ferromagnéticos controlados por gate. A exploração destas possibilidades promete revelar muita física interessante, em direção a dispositivos úteis. A demonstração do transporte spin-polarizado um semicondutor ferromagnético é o fator crucial para um semicondutor "spintronic". O objetivo deste projeto é utilizar protótipos de Ga(1-x)Mg(x)As/Al(1-x)Ga(x)As para testar a viabilidade do transporte spin-polarizado destes sistemas. (AU)