Below gap excitation of optical processes in amorphus semiconductors

• Grant number: 95/02671-0
• Support Opportunities: Scholarships abroad - Research
• Start date: August 30, 1995
• End date: February 28, 1997
• Field of knowledge: Physical Sciences and Mathematics - Physics - Condensed Matter Physics
• Principal Investigator: Jose Humberto Dias da Silva
• Grantee: Jose Humberto Dias da Silva
• Host Investigator: Craig Taylor
• Host Institution: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brazil
• Institution abroad: University of Utah (U), United States

Abstract

Neste estágio visamos empregar as técnicas de fotoluminescência e ressonância de spin eletrônico opticamente detectada, a energias de excitação menores que o gap, ao estudo de filmes de silício amorfo hidrogenado, e possivelmente outros semicondutores amorfos. Os materiais serão preparados em diferentes condições e serão sujeitos a tratamentos térmicos. Os resultados buscados, juntamente com outras pesquisas recentes do grupo de Utah, permitirão o estudo detalhado dos processos de recombinação dos materiais de interesse. (AU)