Dmitri Lubyshev | Institute Semiconductor Physics - União Soviética

• Grant number: 94/01042-6
• Support Opportunities: Research Grants - Visiting Researcher Grant - International
• Start date: November 18, 1994
• End date: May 17, 1995
• Field of knowledge: Physical Sciences and Mathematics - Physics - Condensed Matter Physics
• Principal Investigator: Pierre Basmaji
• Grantee: Pierre Basmaji
• Visiting researcher: Dmitri Lubyshev
• Visiting researcher institution: Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS) , Russia
• Host Institution: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brazil
• City of the host institution: São Carlos
• Associated research grant: 92/03559-0 - Electronic properties of semiconductor structures, AP.TEM

Abstract

Crescimento epitaxial de estruturas semicondutoras InGaAs e AlGaAs sobre substrato de GaAs orientado (311) A e B. Este tipo de crescimento tem sido atraído grande interesse por causa de sua importância na aplicação de moduladores ópticos e dispositivos. Neste trabalho propomos crescer e estudar as propriedades ópticas e elétricas de poços quânticos InGaAs/GaAs (311) em vista de determinar os efeitos da desordem na liga e os defeitos estruturais ligados ao exciton. Também estudar as mudanças provocadas pela tensão interna existente nas diferentes camadas da amostra. Além disso, será estudado o aparecimento de efeito piezoelétricos quando a estrutura é crescida na direção (311) ou (111). (AU)