Testes de stress elétrico de transistores de ZnO e IGZO baseados em um novo procedimento de ensaio

• Processo: 19/05620-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 11 de setembro de 2019
• Data de Término da vigência: 26 de setembro de 2019
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Acordo de Cooperação: CONFAP ; Newton Fund, com FAPESP como instituição parceira no Brasil ; UK Academies
• Pesquisador responsável: Lucas Fugikawa Santos
• Beneficiário: Lucas Fugikawa Santos
• Pesquisador visitante: Jeff Kettle
• Instituição do Pesquisador Visitante: Bangor University, País de Gales
• Instituição Sede: Instituto de Geociências e Ciências Exatas (IGCE). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Rio Claro. Rio Claro , SP, Brasil
• Assunto(s): Técnicas de caracterização elétrica Pulverização catódica Óxidos metálicos Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterização Elétrica | óxidos metálicos | spray-pirólise | Sputtering | stress elétrico | Transistores de Filme Fino | Propriedades elétricas de materiais e dispositivos eletrônicos

Resumo

Esta proposta procura abordar a necessidade de transistores de óxido de metal de alto desempenho estáveis por períodos prolongados de polarização. O foco do projeto será o desenvolvimento de novos procedimentos de teste para caracterizar e medir a estabilidade de dispositivos funcionais,quantificando as implicações do processo de fabricação nas propriedades e na estabilidade dos dispositivos. Além disso, em paralelo ao estudo da estabilidade de TFTs de óxidos metálicos processados em solução, também testaremos TFTs de óxidos metálicos usando deposição por sputtering. Ao usar sputtering, estaremos estudando a estabilidade de dispositivos já amplamente estudados em escala industrial, tornando nossa pesquisa de relevância imediata. No entanto, ao estudar simultaneamente as estabilidades dos dispositivos processados por spray, também estaremos entendendo a estabilidade da próxima geração de materiais. No momento, a reprodutibilidade dos TFTs IGZO depositados por spray é muito menor do que a de seus homólogos depositados por sputtering, embora seja esperado que isso melhore nos próximos meses e anos à medida que a tecnologia amadurece. O programa de trabalho será dividido em 4 pacotes de trabalho com atividade antes e após a visita ao Brasil. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, n. 159, MAY 2020. (19/08019-9, 14/13904-8, 16/03484-7, 19/05620-3, 19/01671-2)

KUMAR, DINESH; GOMES, TIAGO CARNEIRO; ALVES, NERI; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; SMITH, GRAHAM C.; KETTLE, JEFF. UV Phototransistors-Based Upon Spray Coated and Sputter Deposited ZnO TFTs. IEEE SENSORS JOURNAL, v. 20, n. 14, p. 7532-7539, JULY15, 2020. (19/05620-3, 14/13904-8, 16/03484-7)

GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, v. N/A, n. 159, p. 8-pg., 2020-05-01. (19/01671-2, 16/03484-7, 19/05620-3, 14/13904-8, 19/08019-9)