Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes

• Processo: 00/10027-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2008
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ines Pereyra
• Beneficiário: Ines Pereyra
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 08/07111-4 - 'Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS'', BP.MS; 08/08775-3 - RF MEMS Baseados em a-SiC:H e SiOxNy Obtidos por PECVD a Baixas Temperaturas, BP.PD; 06/58554-8 - Desenvolvimento de diodos schottky baseados em filmes semicondutores amorfos e cristalizados de carbeto de silico obtido por pecvd., BP.PD; + mais bolsas vinculadas 06/52791-8 - Desenvolvimento e fabricacao de um dispositivo eletro-optico usando mach-zehnder., BP.MS; 03/02837-3 - Estudo e fabricacao de transistores de filme fino (tft's) com materiais depositados por pecvd visando aplicacoes em optoeletronica integrada., BP.DR; 03/04523-6 - Estudo e otimizacao de filmes de oxinitreto de silicio (sioxny) obtidos pela tecnica de pecvd., BP.DR; 01/09404-0 - Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica Smart Cut, BP.DR; 01/06516-1 - Desenvolvimento de dispositivos para optica integrada utilizando peliculas dieletricas depositadas por pecvd., BP.PD; 01/07289-9 - Estudo e producao de filmes de oxinitreto de silicio (sioxny) pela tecnica de pecvd., BP.MS - menos bolsas vinculadas
• Assunto(s): Sistemas microeletromecânicos Filmes finos Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Carbeto De Silicio | Guias De Onda | Materiais Super Duros | Mems | Novos Materiais | Oxinitreto De Silicio

Resumo

O objetivo geral do projeto é garantir a continuidade das pesquisas que o grupo vem desenvolvendo com filmes finos de semicondutores e isolantes amorfos e microcristalinos depositados pela técnica de PECVD, aprofundando os estudos já realizados e estendendo as pesquisas em áreas que os resultados indicam como promissoras. Isto envolverá pesquisas sobre a obtenção, caracterização e otimização dos materiais em estudo, trabalhos de desenvolvimento de dispositivos e aplicações nas quais esses materiais são de interesse e a implantação de outras técnicas de deposição, como Sputtering e CVD, para obter esses materiais. É também objetivo deste projeto, consolidar nosso grupo de pesquisa, garantindo a infra-estrutura para realizar os trabalhos, e dando condições para aumentar nossos recursos humanos, possibilitando a realização, no grupo, de projetos de pós-doutorado e a vinda de professores visitantes, bem como dando continuidade ao desenvolvimento de trabalhos de mestrado e doutorado. (AU)

Publicações científicas

(4)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

K.F ALBERTIN; I PEREYRA. One step a-Si: H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator. REVISTA MEXICANA DE FISICA, v. 52, p. 83-85, 2006-02-00. (00/10027-3, 03/02837-3)

OLIVEIRA‚ RAR; RIBEIRO‚ M.; PEREYRA‚ I.; ALAYO‚ MI. Silicon clusters in PECVD silicon-rich SiO< sub> x N< sub> y. MATERIALS CHARACTERIZATION, v. 50, n. 2, p. 161-166, 2003. (00/10027-3, 01/06516-1)

GARCIA‚ B.; ESTRADA‚ M.; ALBERTIN‚ KF; CARREÑO‚ MNP; PEREYRA‚ I.; RESENDIZ‚ L.. Amorphous and excimer laser annealed SiC films for TFT fabrication. Solid-State Electronics, v. 50, n. 2, p. 241-247, 2006. (00/10027-3)

REHDER, G.; ALAYO, M. I.; MEDINA, H. B.; CARRENO, M. N. P.; DICKENSHEETS, DL; GOGOI, BP; SCHENK, H. Electro-opto-mechanical cantilever-based logic gates. MEDICAL IMAGING 2007: PACS AND IMAGING INFORMATICS, v. 6466, p. 9-pg., 2007-01-01. (00/10027-3, 05/55967-7)